8R1K0CE N-CHANNEL MOSFET, 800V 5.7A tranzistor
			
		 
		
		
			
				
				
					
N-FET 800V 5.7A 32W 0J950 IPA80R1K0CE Infineon 8R1K0
						
				
			 
			
				
					
					
					
					
					
					
					
						Kód zboží:
					
					2000120500
										
					
						Výrobce:
					
					Infineon
					
					
					
						EAN:
					
					
					
					
					
						Dostupnost:
					
					
					
					
					
					
      
 
	
		Hlavní sklad: 
	
	
	
		
			ihned k odeslání 
			
			na prodejně Poslední ks 
		
		 	
	
	
	
	 
 	
					
					
						Cena bez DPH:
						86,9 Kč
						Cena s DPH:
						105,15 Kč
					
					
					
				 
				
				
				
				
				
					
						
							Lze objednat jen 1 ks
							
						
					 
				 	
					 
				
	
				
			 
		 
		
		
				8R1K0CE IPA80R1K0CE Infineon
800V CoolMOS™ CEje řada vysoce výkonných zařízení Infineon nabízející 800 voltové průrazné napětí. CE se zaměřuje na aplikace spotřební elektroniky a také na osvětlení. Nová výběrová řada 800V se konkrétně zaměřuje na aplikace LED. S touto specifickou řadou CoolMOS™ kombinuje Infineon dlouholeté zkušenosti jako přední dodavatel superjunction MOSFET s nejlepšími inovacemi ve své třídě.
Souhrn funkcí:
Nízký specifický odpor v zapnutém stavu (R DS(on) *A)
Velmi nízká akumulace energie ve výstupní kapacitě ( Eoss ) @ 400V
Nízký náboj brány (Q g )
Osvědčená kvalita CoolMOS™
Technologie CoolMOS™ je vyráběna společností Infineon od roku 1998
Výhody
- Vysoká účinnost a hustota výkonu
- Vynikající cena/výkon
- Vysoká spolehlivost
- Snadnost použití
Pouzdro: TO-220FP
		
					
			
				
					
						8R1K0CE N-CHANNEL MOSFET, 800V 5.7A tranzistor
						N-FET 800V 5.7A 32W 0J950 IPA80R1K0CE Infineon 8R1K0
						8R1K0CE IPA80R1K0CE Infineon
800V CoolMOS™ CEje řada vysoce výkonných zařízení Infineon nabízející 800 voltové průrazné napětí. CE se zaměřuje na aplikace spotřební elektroniky a také na osvětlení. Nová výběrová řada 800V se konkrétně zaměřuje na aplikace LED. S touto specifickou řadou CoolMOS™ kombinuje Infineon dlouholeté zkušenosti jako přední dodavatel superjunction MOSFET s nejlepšími inovacemi ve své třídě.
Souhrn funkcí:
Nízký specifický odpor v zapnutém stavu (R DS(on) *A)
Velmi nízká akumulace energie ve výstupní kapacitě ( Eoss ) @ 400V
Nízký náboj brány (Q g )
Osvědčená kvalita CoolMOS™
Technologie CoolMOS™ je vyráběna společností Infineon od roku 1998
Výhody
- Vysoká účinnost a hustota výkonu
- Vynikající cena/výkon
- Vysoká spolehlivost
- Snadnost použití
Pouzdro: TO-220FP
					
					
						8R1K0CE N-CHANNEL MOSFET, 800V 5.7A tranzistor
						N-FET 800V 5.7A 32W 0J950 IPA80R1K0CE Infineon 8R1K0
						8R1K0CE IPA80R1K0CE Infineon
800V CoolMOS™ CEje řada vysoce výkonných zařízení Infineon nabízející 800 voltové průrazné napětí. CE se zaměřuje na aplikace spotřební elektroniky a také na osvětlení. Nová výběrová řada 800V se konkrétně zaměřuje na aplikace LED. S touto specifickou řadou CoolMOS™ kombinuje Infineon dlouholeté zkušenosti jako přední dodavatel superjunction MOSFET s nejlepšími inovacemi ve své třídě.
Souhrn funkcí:
Nízký specifický odpor v zapnutém stavu (R DS(on) *A)
Velmi nízká akumulace energie ve výstupní kapacitě ( Eoss ) @ 400V
Nízký náboj brány (Q g )
Osvědčená kvalita CoolMOS™
Technologie CoolMOS™ je vyráběna společností Infineon od roku 1998
Výhody
- Vysoká účinnost a hustota výkonu
- Vynikající cena/výkon
- Vysoká spolehlivost
- Snadnost použití
Pouzdro: TO-220FP