IGBT 1300V 60A 250W TO247-3
Kód zboží:
2000014200
Výrobce:
ON Semiconductor
EAN:
Dostupnost:
Hlavní sklad:
ihned k odeslání
na prodejně 9 ks
Cena bez DPH:
156 Kč
Cena s DPH:
188,76 Kč
Lze objednat jen 9 ks
Parametry:
Výrobce: ONSEMI
Typ tranzistoru: IGBT
Napětí kolektor-emitor: 1,3kV
Proud kolektoru: 30A
Ztrátový výkon: 250W
Kryt: TO247-3
Napětí hradlo - emitor: ±25V
Impulsní proud kolektoru: 90A
Montáž: THT
Náboj hradla: 372,3nC
Druh balení: tuba
Vlastností polovodičových součástek: integrated anti-parallel diode
FGH30S130P, 30S130P
IGBT 1300V 60A 250W TO247-3
Parametry:
Výrobce: ONSEMI
Typ tranzistoru: IGBT
Napětí kolektor-emitor: 1,3kV
Proud kolektoru: 30A
Ztrátový výkon: 250W
Kryt: TO247-3
Napětí hradlo - emitor: ±25V
Impulsní proud kolektoru: 90A
Montáž: THT
Náboj hradla: 372,3nC
Druh balení: tuba
Vlastností polovodičových součástek: integrated anti-parallel diode
FGH30S130P, 30S130P
IGBT 1300V 60A 250W TO247-3
Parametry:
Výrobce: ONSEMI
Typ tranzistoru: IGBT
Napětí kolektor-emitor: 1,3kV
Proud kolektoru: 30A
Ztrátový výkon: 250W
Kryt: TO247-3
Napětí hradlo - emitor: ±25V
Impulsní proud kolektoru: 90A
Montáž: THT
Náboj hradla: 372,3nC
Druh balení: tuba
Vlastností polovodičových součástek: integrated anti-parallel diode