N-MOSFET, unipolární, 100V, 57A, 200W, D2PAK
Kód zboží:
2000317400
Výrobce:
Infineon
EAN:
Dostupnost:
Hlavní sklad:
ihned k odeslání
na prodejně 10 ks
Cena bez DPH:
62,92 Kč
Cena s DPH:
76,13 Kč
Lze objednat jen 10 ks
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 100V
Proud drainu: 57A
Ztrátový výkon: 200W
Kryt: D2PAK
Montáž: SMD
Druh kanálu: obohacený
IRF3710S tranzistor
N-MOSFET, unipolární, 100V, 57A, 200W, D2PAK
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 100V
Proud drainu: 57A
Ztrátový výkon: 200W
Kryt: D2PAK
Montáž: SMD
Druh kanálu: obohacený
IRF3710S tranzistor
N-MOSFET, unipolární, 100V, 57A, 200W, D2PAK
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 100V
Proud drainu: 57A
Ztrátový výkon: 200W
Kryt: D2PAK
Montáž: SMD
Druh kanálu: obohacený