Mosfet N-FET tranzistor IPB65R190C6ATMA1 / Infineon Technologies

RoHS
  • Mosfet N-FET tranzistor IPB65R190C6ATMA1

Není skladem

E-shop: není skladem, Praha: 0, Brno: 0, Ostrava: 0, Plzeň: 0

86,00 / kus vč. DPH (71,10 Kč bez DPH)

objednací kód: GES04913678, min. obj. množství: 1 kus

MOS-N-FET 650V/ 20,2A/ 151W, rds=0,19Ohm. TO263-3

Výrobce Infineon Technologies
Typ N-FET
Provedení TO263 (D2PAK)
Napětí (Vce, Vds) 650 V
Proud 20,0 A
Výkon P_max 151 W
Odpor R_ds 0,190 Ohm
Rychlost neuvedeno
Kmitočet neuveden