Rychlost dodání
Dvojitý N+P-FET tranzistor 55V 4.8A STM6930
Kód zboží:
2000104000
Značka:
Samsung
Dvojitý N+P-FET tranzistor s napětím 55V a proudem 4.8A, vhodný pro použití v invertorech. Celý popis
Nedostupné
Externí sklad: za 19 dní
Popis produktu:
Dvojitý N+P-FET tranzistor STM6930 je speciální polovodičová součástka určená zejména pro použití v invertorech. Tento tranzistor má maximální pracovní napětí 55 V a maximální proud 4,8 A. Výkonová ztráta je 2,0 W, což je důležitý parametr pro správné chlazení a spolehlivost zařízení.
Technické parametry:
Dvojitý N+P-FET tranzistor STM6930 je speciální polovodičová součástka určená zejména pro použití v invertorech. Tento tranzistor má maximální pracovní napětí 55 V a maximální proud 4,8 A. Výkonová ztráta je 2,0 W, což je důležitý parametr pro správné chlazení a spolehlivost zařízení.
Technické parametry:
- Typ: dvojitý N+P-FET tranzistor
- Maximální napětí: 55 V
- Maximální proud: 4,8 A
- Ztrátový výkon: 2,0 W
- Označení: 0J045
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
