Rychlost dodání
IGBT tranzistor 1200V 30A 259W RGS30TSX2GC11
Kód zboží:
2000022200
Značka:
ROHM
Výkonný IGBT tranzistor s napětím 1200 V, proudem 30 A a výkonem 259 W pro náročné elektronické aplikace. Celý popis
172,00 Kč
bez DPH: 142,15 Kč
Skladem 11 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
172,00 Kč
Popis produktu:
IGBT tranzistor s maximálním napětím 1200 V, maximálním proudem 30 A a výkonem 259 W. Tento typ polovodičové součástky se používá pro rychlé spínání a řízení výkonu v elektronických zařízeních, zejména tam, kde je potřeba efektivní přepínání vysokých proudů a napětí.
Technické parametry:
IGBT tranzistor s maximálním napětím 1200 V, maximálním proudem 30 A a výkonem 259 W. Tento typ polovodičové součástky se používá pro rychlé spínání a řízení výkonu v elektronických zařízeních, zejména tam, kde je potřeba efektivní přepínání vysokých proudů a napětí.
Technické parametry:
- Typ: IGBT tranzistor
- Maximální napětí: 1200 V
- Maximální proud: 30 A
- Výkon: 259 W
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
