Rychlost vyřízení objednávky. Kvalitně zabaleno.
Cena produktu a dopravy.
IGBT tranzistor 650V 60A TO-247
Kód zboží:
2000021700
Výkonný IGBT tranzistor s napětím 650V, proudem 60A a ztrátovým výkonem 166W v pouzdru TO-247. Celý popis
83,00 Kč
bez DPH: 68,60 Kč
Skladem 6 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
83,00 Kč
Technické parametry:
IGBT tranzistor slouží k řízení a spínání elektrických obvodů s vysokým napětím a proudem. Díky parametrům 650V a 60A je vhodný pro různé aplikace, kde je potřeba efektivně řídit výkon. Pouzdro TO-247 umožňuje snadnou montáž a dobré chlazení během provozu.
- Typ tranzistoru: IGBT
- Napětí kolektor-emitor: 650V
- Proud kolektoru: 60A
- Ztrátový výkon: 166W
- Kryt: TO-247
- Napětí hradlo-emitor: ±30V
- Impulsní proud kolektoru: 180A
- Montáž: THT (Through-Hole Technology)
- Náboj hradla: 84nC
- Druh balení: tuba
- Doba přítahu: 113ns
- Doba odpadu: 270ns
- Saturační napětí kolektor-emitor: 1,95V
- Vypínací energie: 1,17mJ
- Zapínací energie: 2,36mJ
IGBT tranzistor slouží k řízení a spínání elektrických obvodů s vysokým napětím a proudem. Díky parametrům 650V a 60A je vhodný pro různé aplikace, kde je potřeba efektivně řídit výkon. Pouzdro TO-247 umožňuje snadnou montáž a dobré chlazení během provozu.
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
