Rychlost vyřízení objednávky. Kvalitně zabaleno.
Cena produktu a dopravy.
IGBT tranzistor FGH30S130P 1300V 60A TO247-3
Kód zboží:
2000014200
Značka:
ON Semiconductor
Výkonný IGBT tranzistor s napětím 1300V, proudem 60A a výkonem 250W v pouzdru TO247-3. Celý popis
189,00 Kč
bez DPH: 156,20 Kč
Skladem 5 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
189,00 Kč
IGBT tranzistor FGH30S130P 1300V 60A TO247-3
Popis produktu:
Výkonný IGBT tranzistor vhodný pro spínací aplikace s napětím kolektor-emitor 1300 V, maximálním proudem kolektoru 60 A a ztrátovým výkonem 250 W. Tranzistor je osazen v pouzdru TO247-3 a je určen pro montáž do desky plošných spojů (THT). Součástí je integrovaná antiparalelní dioda, která zlepšuje výkon a spolehlivost.
Technické parametry:
Popis produktu:
Výkonný IGBT tranzistor vhodný pro spínací aplikace s napětím kolektor-emitor 1300 V, maximálním proudem kolektoru 60 A a ztrátovým výkonem 250 W. Tranzistor je osazen v pouzdru TO247-3 a je určen pro montáž do desky plošných spojů (THT). Součástí je integrovaná antiparalelní dioda, která zlepšuje výkon a spolehlivost.
Technické parametry:
- Výrobce: ONSEMI
- Typ tranzistoru: IGBT
- Napětí kolektor-emitor: 1300 V
- Proud kolektoru: 60 A
- Ztrátový výkon: 250 W
- Kryt: TO247-3
- Napětí hradlo-emitor: ±25 V
- Impulsní proud kolektoru: 90 A
- Montáž: THT (Through-Hole Technology)
- Náboj hradla: 372,3 nC
- Druh balení: tuba
- Vlastnosti: integrovaná antiparalelní dioda
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
