Rychlost dodání
IGBT tranzistor FGH40N60 / FGH40N60SMD 600V 40A
Kód zboží:
2000320600
Značka:
ON Semiconductor
Výkonný IGBT tranzistor s napětím 600V, proudem 40A a ztrátovým výkonem 174W pro elektronické aplikace. Celý popis
214,00 Kč
bez DPH: 176,86 Kč
Skladem 5 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
214,00 Kč
Popis produktu:
IGBT tranzistor FGH40N60 / FGH40N60SMD je polovodičová součástka určená pro spínání a řízení výkonu v elektronických zařízeních. Tento typ tranzistoru kombinuje vlastnosti bipolárního tranzistoru a MOSFETu, což umožňuje efektivní přepínání při vysokých napětích a proudech.
Technické parametry:
IGBT tranzistor FGH40N60 / FGH40N60SMD je polovodičová součástka určená pro spínání a řízení výkonu v elektronických zařízeních. Tento typ tranzistoru kombinuje vlastnosti bipolárního tranzistoru a MOSFETu, což umožňuje efektivní přepínání při vysokých napětích a proudech.
Technické parametry:
- Výrobce: ONSEMI
- Typ tranzistoru: IGBT
- Napětí kolektor-emitor: 600 V
- Maximální proud kolektoru: 40 A
- Ztrátový výkon: 174 W
- Impulsní proud kolektoru: 120 A
- Napětí hradlo-emitor: ±20 V
- Montáž: THT (Through-Hole Technology)
- Pouzdro: TO247-3
- Náboj hradla: 180 nC
- Vlastnosti: integrovaná antiparalelní dioda
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
