Kvalitu a rychlost dodání
IGBT tranzistor GT30F121 300V 30A 35W
Kód zboží:
2000112800
Výkonný IGBT tranzistor s parametry 300V, 30A a 35W pro použití ve výkonových částech elektroniky. Celý popis
56,00 Kč
bez DPH: 46,28 Kč
Skladem 4 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
56,00 Kč
IGBT tranzistor GT30F121 300V 30A 35W
Jedná se o IGBT tranzistor typu N s maximálním napětím 300 V, proudem 30 A a výkonem 35 W. Tento typ tranzistoru je určen pro použití ve výkonových částech elektronických zařízení, například v plazmových televizorech.
Technické parametry:
Výměna a kompatibilita:
Tranzistor GT30F121 může být použit jako náhrada za typ RJP30E2 ve výkonných obvodech plazmových TV a obdobných zařízení.
Jedná se o IGBT tranzistor typu N s maximálním napětím 300 V, proudem 30 A a výkonem 35 W. Tento typ tranzistoru je určen pro použití ve výkonových částech elektronických zařízení, například v plazmových televizorech.
Technické parametry:
- Typ: IGBT tranzistor N
- Maximální napětí: 300 V
- Maximální proud: 30 A
- Maximální výkon: 35 W
Výměna a kompatibilita:
Tranzistor GT30F121 může být použit jako náhrada za typ RJP30E2 ve výkonných obvodech plazmových TV a obdobných zařízení.
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
