rychlost
IGBT tranzistor GT60N321 1000V 60A 170W
Kód zboží:
2000306300
Značka:
Toshiba
Výkonný IGBT tranzistor s parametry 1000V, 60A a 170W vhodný pro elektronické aplikace. Celý popis
Nedostupné
Popis produktu:
IGBT tranzistor GT60N321 je polovodičová součástka určená pro spínání a řízení elektrického proudu v různých elektronických zařízeních. Má maximální napětí 1000 V, proudovou zatížitelnost až 60 A a výkonovou ztrátu 170 W, což umožňuje jeho použití v aplikacích s vyšším výkonem.
Technické parametry:
IGBT tranzistor GT60N321 je polovodičová součástka určená pro spínání a řízení elektrického proudu v různých elektronických zařízeních. Má maximální napětí 1000 V, proudovou zatížitelnost až 60 A a výkonovou ztrátu 170 W, což umožňuje jeho použití v aplikacích s vyšším výkonem.
Technické parametry:
- Typ: IGBT tranzistor (N typ)
- Maximální napětí: 1000 V
- Maximální proud: 60 A
- Maximální výkonová ztráta: 170 W
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
