Rychlost dodání
IGBT tranzistor IHW20N135R5 s diodou 1350V 40A 288W
Kód zboží:
2000278100
Výkonný IGBT tranzistor s integrovanou diodou, 1350 V, 40 A a 288 W pro elektronické aplikace. Celý popis
109,00 Kč
bez DPH: 90,08 Kč
Skladem 2 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
109,00 Kč
Popis produktu:
IGBT tranzistor model IHW20N135R5 s integrovanou diodou (N + D) je polovodičová součástka určená pro spínání a řízení výkonu v elektronických zařízeních. Má maximální napětí 1350 V, proudovou kapacitu 40 A a výkonovou ztrátu 288 W. Označení na pouzdru může být H20R135 nebo H20PR5.
Technické parametry:
IGBT tranzistor model IHW20N135R5 s integrovanou diodou (N + D) je polovodičová součástka určená pro spínání a řízení výkonu v elektronických zařízeních. Má maximální napětí 1350 V, proudovou kapacitu 40 A a výkonovou ztrátu 288 W. Označení na pouzdru může být H20R135 nebo H20PR5.
Technické parametry:
- Typ součástky: IGBT tranzistor s integrovanou diodou (N + D)
- Maximální napětí: 1350 V
- Maximální proud: 40 A
- Maximální výkonová ztráta: 288 W
- Označení na pouzdru: H20R135, H20PR5
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
