Rychlost dodání
IGBT tranzistor RJP63K2 SMD 630V 35A 45W
Kód zboží:
2000263700
IGBT tranzistor s parametry 630V, 35A a 45W pro elektronické obvody v SMD provedení. Celý popis
Nedostupné
Popis produktu:
IGBT tranzistor RJP63K2 v povrchovém SMD provedení je polovodičová součástka určená pro spínání a řízení elektrických proudů v elektronických zařízeních. Má maximální napětí 630 V, proudovou zatížitelnost 35 A a výkon 45 W, což umožňuje jeho použití v různých aplikacích vyžadujících efektivní řízení výkonu.
Technické parametry:
IGBT tranzistor RJP63K2 v povrchovém SMD provedení je polovodičová součástka určená pro spínání a řízení elektrických proudů v elektronických zařízeních. Má maximální napětí 630 V, proudovou zatížitelnost 35 A a výkon 45 W, což umožňuje jeho použití v různých aplikacích vyžadujících efektivní řízení výkonu.
Technické parametry:
- Typ: IGBT tranzistor
- Model: RJP63K2
- Montáž: SMD (povrchová montáž)
- Maximální napětí: 630 V
- Maximální proud: 35 A
- Maximální výkon: 45 W
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
