Rychlost dodání
N-Channel MOSFET tranzistor 8R1K0CE 800V 5.7A
Kód zboží:
2000120500
Značka:
Infineon
Výkonný N-Channel MOSFET tranzistor s 800V průrazným napětím a 5.7A proudovou zatížitelností pro elektronické aplikace. Celý popis
105,00 Kč
bez DPH: 86,78 Kč
Skladem 2 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
105,00 Kč
Popis produktu:
Jedná se o N-Channel MOSFET tranzistor 8R1K0CE vhodný pro aplikace vyžadující vysoké průrazné napětí až 800 V a proudovou zatížitelnost 5.7 A. Tento typ tranzistoru je často používaný v elektronických zařízeních, zejména v oblasti spotřební elektroniky a osvětlení, například pro ovládání LED.
Technické parametry:
Výhody:
Technologie CoolMOS™ je vyvíjena a vyráběna společností Infineon od roku 1998 a je uznávaná pro své inovace v oblasti superjunction MOSFETů, které zajišťují lepší parametry v aplikacích s vysokým napětím.
Jedná se o N-Channel MOSFET tranzistor 8R1K0CE vhodný pro aplikace vyžadující vysoké průrazné napětí až 800 V a proudovou zatížitelnost 5.7 A. Tento typ tranzistoru je často používaný v elektronických zařízeních, zejména v oblasti spotřební elektroniky a osvětlení, například pro ovládání LED.
Technické parametry:
- Typ: N-Channel MOSFET
- Průrazné napětí: 800 V
- Maximální proud: 5.7 A
- Výkon: 32 W
- Nízký odpor v sepnutém stavu (R DS(on))
- Nízká akumulace energie ve výstupní kapacitě (Eoss) při 400 V
- Nízký náboj brány (Q g)
- Pouzdro: TO-220FP
Výhody:
- Vysoká účinnost a výkonová hustota
- Dobrá cenová dostupnost vzhledem k výkonu
- Spolehlivá kvalita technologie CoolMOS™
- Snadné použití v různých elektronických obvodech
Technologie CoolMOS™ je vyvíjena a vyráběna společností Infineon od roku 1998 a je uznávaná pro své inovace v oblasti superjunction MOSFETů, které zajišťují lepší parametry v aplikacích s vysokým napětím.
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
