Rychlost dodání
N-FET MOSFET tranzistor FDD5N60NZ 600V 4A
Kód zboží:
2000002300
Značka:
ONSEMI
N-FET MOSFET tranzistor s napětím 600V a proudem 4A vhodný pro elektronické aplikace. Celý popis
78,00 Kč
bez DPH: 64,46 Kč
Skladem 5 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
78,00 Kč
Popis produktu:
FDD5N60NZ je N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací a zesilovací aplikace. Tento tranzistor zvládá maximální napětí mezi drenem a zdrojem 600 V a maximální proud 4 A, což ho činí vhodným pro různé elektronické obvody.
Technické parametry:
FDD5N60NZ je N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací a zesilovací aplikace. Tento tranzistor zvládá maximální napětí mezi drenem a zdrojem 600 V a maximální proud 4 A, což ho činí vhodným pro různé elektronické obvody.
Technické parametry:
- Pouzdro: DPAK-3 (TO-252-3 / TO252)
- Typ tranzistoru: N-FET
- Maximální napětí (Vds): 600 V
- Práh napětí řízení (Vgs th): 3 V
- Maximální proud (Id): 4 A
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
