Rychlost dodání
N-FET tranzistor 2SK1119 Toshiba 1000V 4A
Kód zboží:
2000015300
Značka:
Toshiba
N-FET tranzistor 2SK1119 Toshiba s maximálním napětím 1000V, proudem 4A a výkonem 100W pro elektronické aplikace. Celý popis
158,00 Kč
bez DPH: 130,58 Kč
Skladem 3 ks
Externí sklad: za 54 dní
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
158,00 Kč
Popis produktu:
N-FET tranzistor 2SK1119 od Toshiba je polovodičová součástka určená pro spínání a zesilování elektronických signálů. Má maximální napětí 1000V, maximální proud 4A a maximální výkon 100W, což zajišťuje jeho spolehlivost v náročných aplikacích.
Technické parametry:
N-FET tranzistor 2SK1119 od Toshiba je polovodičová součástka určená pro spínání a zesilování elektronických signálů. Má maximální napětí 1000V, maximální proud 4A a maximální výkon 100W, což zajišťuje jeho spolehlivost v náročných aplikacích.
Technické parametry:
- Typ: N-FET tranzistor
- Model: 2SK1119
- Výrobce: Toshiba
- Maximální napětí: 1000 V
- Maximální proud: 4 A
- Maximální výkon: 100 W
- Označení: 2J6
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
