Kvalitu a rychlost dodání
N-FET tranzistor 2SK2611 900V 9A 150W
Kód zboží:
2000244900
Značka:
Toshiba
Výkonný N-FET tranzistor s parametry 900V, 9A a 150W pro elektronické aplikace. Celý popis
261,00 Kč
bez DPH: 215,70 Kč
Skladem 2 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
261,00 Kč
Popis produktu:
N-FET tranzistor 2SK2611 je výkonná polovodičová součástka určená pro spínací a zesilovací aplikace. Má maximální napětí 900 V, maximální proud 9 A a maximální výkon 150 W, což jej předurčuje pro použití v náročnějších elektronických obvodech.
Technické parametry:
Kompatibilita:
Tento tranzistor lze použít jako náhradu za typ 2SK2610.
N-FET tranzistor 2SK2611 je výkonná polovodičová součástka určená pro spínací a zesilovací aplikace. Má maximální napětí 900 V, maximální proud 9 A a maximální výkon 150 W, což jej předurčuje pro použití v náročnějších elektronických obvodech.
Technické parametry:
- Typ: N-FET tranzistor
- Maximální napětí: 900 V
- Maximální proud: 9 A
- Maximální výkon: 150 W
- Označení: 1J1
Kompatibilita:
Tento tranzistor lze použít jako náhradu za typ 2SK2610.
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
