Profesionalita a rychlost dodávky materiálu
N-FET tranzistor 2SK2699 600V 12A 150W
Kód zboží:
2000257100
Značka:
Toshiba
Výkonný N-FET tranzistor s napětím 600V, proudem 12A a výkonem 150W pro různé elektronické aplikace. Celý popis
114,00 Kč
bez DPH: 94,21 Kč
Skladem 9 ks
Externí sklad: za 8 dní
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
114,00 Kč
N-FET tranzistor 2SK2699
Tento N-FET tranzistor je určený pro použití v elektronických zařízeních, kde je potřeba spolehlivý výkon při vysokém napětí a proudu. Díky svým parametrům zvládá napětí až 600 V, proud až 12 A a maximální výkon 150 W. Hodnota odporu v sepnutém stavu je 0,5 ohm.
Technické parametry:
Tento N-FET tranzistor je určený pro použití v elektronických zařízeních, kde je potřeba spolehlivý výkon při vysokém napětí a proudu. Díky svým parametrům zvládá napětí až 600 V, proud až 12 A a maximální výkon 150 W. Hodnota odporu v sepnutém stavu je 0,5 ohm.
Technické parametry:
- Typ: N-FET tranzistor
- Maximální napětí: 600 V
- Maximální proud: 12 A
- Maximální výkon: 150 W
- Odpor sepnutého stavu (Rds(on)): 0,5 Ω
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
