rychlost
N-FET tranzistor 2SK30A index O, 50V, 10mA, 0,1W
Kód zboží:
2000007400
N-FET tranzistor 2SK30A index O pro nízkofrekvenční aplikace s parametry 50V, 10mA a výkonem 0,1W. Celý popis
Nedostupné
Popis produktu:
N-FET tranzistor 2SK30A s indexem O je navržen pro nízkofrekvenční aplikace. Tento tranzistor má maximální napětí 50 V, proud 10 mA a maximální výkon 0,1 W. Indexy R, O, Y a GR označují různé varianty tohoto typu tranzistoru a nelze je mezi sebou zaměňovat, proto je důležité použít správný index.
Technické parametry:
N-FET tranzistor 2SK30A s indexem O je navržen pro nízkofrekvenční aplikace. Tento tranzistor má maximální napětí 50 V, proud 10 mA a maximální výkon 0,1 W. Indexy R, O, Y a GR označují různé varianty tohoto typu tranzistoru a nelze je mezi sebou zaměňovat, proto je důležité použít správný index.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-FET
- Maximální napětí: 50 V
- Maximální proud: 10 mA
- Maximální výkon: 0,1 W
- Index IDSS: O (0,60–1,40 mA)
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
