Rychlost dodání
N-FET tranzistor 600V 11A MDF11N60
Kód zboží:
2000219100
Značka:
Magnachip
Výkonný N-FET tranzistor s napětím 600V, proudem 11A a odporem 0,55 Ω pro spínací aplikace. Celý popis
89,00 Kč
bez DPH: 73,55 Kč
Skladem > 25 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
89,00 Kč
N-FET tranzistor MDF11N60
Tento N-FET tranzistor je navržen pro použití v aplikacích s vysokým napětím a proudem, jako jsou spínané zdroje (SMPS), korekce účiníku (PFC) a vysokorychlostní spínání. Díky pokročilé MOSFET technologii nabízí nízký odpor v sepnutém stavu a spolehlivý výkon.
Technické parametry:
Tento N-FET tranzistor je navržen pro použití v aplikacích s vysokým napětím a proudem, jako jsou spínané zdroje (SMPS), korekce účiníku (PFC) a vysokorychlostní spínání. Díky pokročilé MOSFET technologii nabízí nízký odpor v sepnutém stavu a spolehlivý výkon.
Technické parametry:
- Maximální napětí mezi drain a source (VDS): 600 V
- Maximální napětí VDS při maximální teplotě (Tjmax): 660 V
- Maximální proud drain (ID) při VGS = 10 V: 11 A
- Maximální odpor v sepnutém stavu (RDS(ON)) při VGS = 10 V: ≤ 0,55 Ω
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
