Rychlost dodání
N-FET tranzistor IPW60R190C6 s parametry 650V, 59A
Kód zboží:
2000274300
Značka:
Infineon
N-FET tranzistor s napětím 650V, proudem 59A a výkonem 151W vhodný pro elektronické aplikace. Celý popis
153,00 Kč
bez DPH: 126,45 Kč
Skladem 5 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
153,00 Kč
Popis produktu:
N-FET tranzistor IPW60R190C6 je polovodičová součástka určená pro spínací a zesilovací aplikace v elektronice. Má maximální napětí 650 V, maximální proud 59 A a maximální ztrátový výkon 151 W, což umožňuje jeho použití v různých obvodech vyžadujících vysoký výkon a spolehlivost.
Technické parametry:
N-FET tranzistor IPW60R190C6 je polovodičová součástka určená pro spínací a zesilovací aplikace v elektronice. Má maximální napětí 650 V, maximální proud 59 A a maximální ztrátový výkon 151 W, což umožňuje jeho použití v různých obvodech vyžadujících vysoký výkon a spolehlivost.
Technické parametry:
- Typ: N-FET tranzistor
- Maximální napětí: 650 V
- Maximální proud: 59 A
- Maximální ztrátový výkon: 151 W
- Označení: 0J19
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
