rychlost
N-FET tranzistor SIHA11N80E-GE3 800V 12A 3pin
Kód zboží:
2000022800
Značka:
Vishay
N-FET tranzistor s napětím 800V, proudem 12A a výkonem 34W pro elektronické aplikace. Celý popis
209,00 Kč
bez DPH: 172,73 Kč
Skladem 3 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
209,00 Kč
N-FET tranzistor SIHA11N80E-GE3
Tento N-FET tranzistor je určen pro použití v elektronických obvodech, kde je potřeba spínat nebo zesilovat elektrický proud. Má maximální napětí mezi drain a source 800 V a trvalý proud drainu až 12 A. Odpor mezi drain a source při sepnutí je 0,38 ohmů při testovacím napětí brány 10 V, což ovlivňuje účinnost a ztráty v zapojení. Prahové napětí brány je 4 V, což určuje spínací charakteristiky tranzistoru. Maximální rozptýlený výkon je 34 W, což značí, kolik tepla může tranzistor bezpečně odvádět. Součástka má tři piny a maximální provozní teplotu až 150 °C.
Technické parametry:
Tento N-FET tranzistor je určen pro použití v elektronických obvodech, kde je potřeba spínat nebo zesilovat elektrický proud. Má maximální napětí mezi drain a source 800 V a trvalý proud drainu až 12 A. Odpor mezi drain a source při sepnutí je 0,38 ohmů při testovacím napětí brány 10 V, což ovlivňuje účinnost a ztráty v zapojení. Prahové napětí brány je 4 V, což určuje spínací charakteristiky tranzistoru. Maximální rozptýlený výkon je 34 W, což značí, kolik tepla může tranzistor bezpečně odvádět. Součástka má tři piny a maximální provozní teplotu až 150 °C.
Technické parametry:
- Napětí Drain-Source (Vds): 800 V
- Trvalý proud Drainu (Id): 12 A
- Odpor Drain-Source při sepnutí (Rds(on)) při Vgs=10 V: 0,38 Ω
- Prahové napětí brány (Vgs): 4 V
- Maximální rozptýlený výkon: 34 W
- Počet pinů: 3
- Maximální provozní teplota: 150 °C
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
