rychlost
N-MOSFET tranzistor 500V 10,8A FDP18N50
Kód zboží:
2000187900
Značka:
ONSEMI
Výkonný N-MOSFET tranzistor s napětím 500V, proudem 10,8A a výkonem 235W v pouzdře TO220. Celý popis
104,00 Kč
bez DPH: 85,95 Kč
Skladem 5 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
104,00 Kč
N-MOSFET tranzistor FDP18N50
Tento unipolární N-MOSFET tranzistor je určen pro aplikace vyžadující vysoké napětí a proud. Má maximální napětí mezi drainem a source 500 V a maximální proud drainu 10,8 A. Maximální disipace výkonu je 235 W, což umožňuje jeho použití ve výkonných elektronických obvodech.
Technické parametry:
Tento unipolární N-MOSFET tranzistor je určen pro aplikace vyžadující vysoké napětí a proud. Má maximální napětí mezi drainem a source 500 V a maximální proud drainu 10,8 A. Maximální disipace výkonu je 235 W, což umožňuje jeho použití ve výkonných elektronických obvodech.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Polarizace: unipolární
- Napětí drain-source: 500 V
- Proud drainu: 10,8 A
- Maximální výkon: 235 W
- Pouzdro: TO220
- Napětí gate-source: ±30 V
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 265 mΩ
- Montáž: THT (průchozí montáž)
- Náboj hradla: 60 nC
- Technologie: UniFET™
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
