rychlost
N-MOSFET tranzistor 600V 20,2A TO220FP IPA60R190P6XKSA1
Kód zboží:
2000199800
Značka:
Infineon
N-MOSFET tranzistor s napětím 600V, proudem 20,2A a výkonem 34W v pouzdru TO220FP pro elektronické obvody. Celý popis
61,00 Kč
bez DPH: 50,41 Kč
Skladem 16 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
61,00 Kč
Popis produktu:
N-MOSFET tranzistor s unipolární konstrukcí a technologií CoolMOS™ P6 je určen pro spínací aplikace s napětím mezi drain a source až 600V a maximálním proudem 20,2A. Ztrátový výkon činí 34W, což umožňuje efektivní chlazení při správné montáži.
Technické parametry:
N-MOSFET tranzistor s unipolární konstrukcí a technologií CoolMOS™ P6 je určen pro spínací aplikace s napětím mezi drain a source až 600V a maximálním proudem 20,2A. Ztrátový výkon činí 34W, což umožňuje efektivní chlazení při správné montáži.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: CoolMOS™ P6
- Polarizace: unipolární
- Napětí drain-source: 600V
- Proud drainu: 20,2A
- Ztrátový výkon: 34W
- Pouzdro: TO220FP
- Napětí gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 0,19Ω
- Montáž: THT (průchozí díry)
- Druh kanálu: obohacený
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
