Rychlost dodání
N-MOSFET tranzistor 600V 20A typ SPP20N60S5
Kód zboží:
2000259100
Značka:
Infineon
Výkonný N-MOSFET tranzistor s napětím 600V, proudem 20A a ztrátovým výkonem 208W pro elektronické aplikace. Celý popis
102,00 Kč
bez DPH: 84,30 Kč
Skladem 4 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
102,00 Kč
N-MOSFET tranzistor SPP20N60S5
Tento N-MOSFET tranzistor je určen pro použití v elektronických obvodech vyžadujících vysoké napětí a proud. Má maximální napětí mezi drainem a source 600V, proudovou kapacitu až 20A a ztrátový výkon 208W, což zajišťuje spolehlivý provoz při náročných podmínkách.
Technické parametry:
Tento N-MOSFET tranzistor je určen pro použití v elektronických obvodech vyžadujících vysoké napětí a proud. Má maximální napětí mezi drainem a source 600V, proudovou kapacitu až 20A a ztrátový výkon 208W, což zajišťuje spolehlivý provoz při náročných podmínkách.
Technické parametry:
- Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: CoolMOS™
- Polarizace: unipolární
- Napětí drain-source: 600V
- Proud drainu: 20A
- Ztrátový výkon: 208W
- Kryt: PG-TO220-3
- Napětí gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutém stavu: 0,19Ω
- Montáž: THT
- Druh balení: tuba
- Druh kanálu: obohacený
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
