Rychlost dodání
N-MOSFET tranzistor 600V 30A IPW60R125P6
Kód zboží:
2000203000
Značka:
Infineon
Výkonný N-MOSFET tranzistor 600V, 30A a 219W pro použití ve výkonových invertorech a impulzních zdrojích. Celý popis
84,00 Kč
bez DPH: 69,42 Kč
Skladem 14 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
84,00 Kč
N-MOSFET tranzistor IPW60R125P6
Tento N-MOSFET tranzistor je vhodný pro použití ve výkonových invertorech a impulzních zdrojích. Je přímou náhradou typu FSW25N50A a nabízí dostatečnou rezervu výkonu.
Technické parametry:
Tento N-MOSFET tranzistor je vhodný pro použití ve výkonových invertorech a impulzních zdrojích. Je přímou náhradou typu FSW25N50A a nabízí dostatečnou rezervu výkonu.
Technické parametry:
- Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Polarizace: unipolární
- Maximální napětí drain-source: 600 V
- Maximální proud drainu: 30 A
- Maximální výkon: 219 W
- Pouzdro: PG-TO247
- Maximální napětí gate-source: ±20 V
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 125 mΩ
- Montáž: THT (Through-Hole Technology)
- Technologie: CoolMOS™ P6
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
