Rychlost dodání
N-MOSFET tranzistor 800V 11A SPP11N80C3
Kód zboží:
2000200000
Značka:
Infineon
N-MOSFET tranzistor s napětím 800 V, proudem 11 A a ztrátovým výkonem 156 W pro různé elektronické aplikace. Celý popis
165,00 Kč
bez DPH: 136,36 Kč
Skladem 3 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
165,00 Kč
N-MOSFET tranzistor SPP11N80C3
Popis produktu:
Jedná se o unipolární N-MOSFET tranzistor určený pro spínací a výkonové aplikace. Díky vysokému maximálnímu napětí mezi drainem a sourcem 800 V a maximálnímu proudu drainu 11 A je vhodný pro použití v různých elektronických zařízeních, kde je potřeba spolehlivě řídit vyšší napětí a proudy.
Technické parametry:
Popis produktu:
Jedná se o unipolární N-MOSFET tranzistor určený pro spínací a výkonové aplikace. Díky vysokému maximálnímu napětí mezi drainem a sourcem 800 V a maximálnímu proudu drainu 11 A je vhodný pro použití v různých elektronických zařízeních, kde je potřeba spolehlivě řídit vyšší napětí a proudy.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET (unipolární)
- Technologie: CoolMOS™
- Maximální napětí drain-source: 800 V
- Maximální proud drainu: 11 A
- Ztrátový výkon: 156 W
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 0,45 Ω
- Napětí gate-source: ±20 V
- Pouzdro: PG-TO220-3
- Montáž: THT (Through-Hole Technology)
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
