Rychlost dodání
N-MOSFET tranzistor IRF1310NPBF 100V 42A TO220AB
Kód zboží:
3000317300
Značka:
Infineon
N-MOSFET tranzistor s napětím 100V, proudem 42A a výkonem 160W v pouzdru TO220AB pro elektronické aplikace. Celý popis
50,00 Kč
bez DPH: 41,32 Kč
Skladem 9 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
50,00 Kč
Popis produktu:
N-MOSFET tranzistor IRF1310NPBF je unipolární polovodičová součástka vhodná pro řízení výkonu v elektronických obvodech. Má maximální napětí mezi drainem a source 100V, maximální proud 42A a ztrátový výkon až 160W. Díky pouzdru TO220AB je vhodný pro montáž s přídavným chlazením.
Technické parametry:
N-MOSFET tranzistor IRF1310NPBF je unipolární polovodičová součástka vhodná pro řízení výkonu v elektronických obvodech. Má maximální napětí mezi drainem a source 100V, maximální proud 42A a ztrátový výkon až 160W. Díky pouzdru TO220AB je vhodný pro montáž s přídavným chlazením.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: HEXFET®
- Polarizace: unipolární
- Napětí drain-source: 100V
- Maximální proud drainu: 42A
- Ztrátový výkon: 160W
- Pouzdro: TO220AB
- Napětí gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutém stavu (R_DS(on)): 36mΩ
- Montáž: THT (through-hole)
- Náboj hradla: 73,3nC
- Druh kanálu: obohacený
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
