Profesionalita a rychlost dodávky materiálu
N-MOSFET tranzistor IRF2807PBF 75V 82A TO220AB
Kód zboží:
2000268200
Značka:
Infineon
N-MOSFET tranzistor s napětím 75V, proudem 82A a výkonem 200W v pouzdru TO220AB pro elektronické aplikace. Celý popis
59,00 Kč
bez DPH: 48,76 Kč
Skladem 15 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
59,00 Kč
Popis produktu:
N-MOSFET tranzistor IRF2807PBF je unipolární polovodičová součástka vhodná pro spínací a zesilovací aplikace. Má maximální napětí drain-source 75 V a maximální proud drainu 82 A, což umožňuje použití v náročnějších elektrických obvodech. Jeho maximální ztrátový výkon je 200 W, což určuje schopnost odvádět teplo při provozu.
Technické parametry:
N-MOSFET tranzistor IRF2807PBF je unipolární polovodičová součástka vhodná pro spínací a zesilovací aplikace. Má maximální napětí drain-source 75 V a maximální proud drainu 82 A, což umožňuje použití v náročnějších elektrických obvodech. Jeho maximální ztrátový výkon je 200 W, což určuje schopnost odvádět teplo při provozu.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: HEXFET®
- Polarizace: unipolární
- Maximální napětí drain-source: 75 V
- Maximální proud drainu: 82 A
- Maximální ztrátový výkon: 200 W
- Pouzdro: TO220AB
- Maximální napětí gate-source: ±20 V
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 13 mΩ
- Montáž: THT (Through-Hole Technology)
- Náboj hradla: 106,7 nC
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
