Profesionalita a rychlost dodávky materiálu
N-MOSFET tranzistor IRF3710PBF 100V 57A 200W
Kód zboží:
2000233300
Výkonný N-MOSFET tranzistor s napětím 100 V, proudem 57 A a výkonem 200 W pro elektronické aplikace. Celý popis
27,00 Kč
bez DPH: 22,31 Kč
Skladem > 25 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
27,00 Kč
N-MOSFET tranzistor IRF3710PBF
Tento N-MOSFET tranzistor je určen pro spínací a zesilovací aplikace v elektronice. Má maximální napětí drain-source 100 V a umožňuje průchod proudu až 57 A. Jeho maximální výkon je 200 W, což zajišťuje spolehlivý provoz při vysokém zatížení.
Technické parametry:
Tento N-MOSFET tranzistor je určen pro spínací a zesilovací aplikace v elektronice. Má maximální napětí drain-source 100 V a umožňuje průchod proudu až 57 A. Jeho maximální výkon je 200 W, což zajišťuje spolehlivý provoz při vysokém zatížení.
Technické parametry:
- Výrobce: Infineon (IRF)
- Typ tranzistoru: N-MOSFET (HEXFET)
- Polarizace: unipolární
- Napětí drain-source: 100 V
- Proud drainu: 57 A
- Výkon: 200 W
- Pouzdro: TO220AB
- Napětí gate-source: 20 V
- Odpor v sepnutém stavu: 23 mΩ
- Tepelný odpor přechod-pouzdro: 0,75 K/W
- Montáž: THT (Through-Hole Technology)
- Náboj hradla: 86,7 nC
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
