rychlost
N-MOSFET tranzistor IRF3710S 100V 57A D2PAK
Kód zboží:
2000317400
Značka:
Infineon
Výkonný N-MOSFET tranzistor s unipolárním kanálem, 100V, 57A, 200W ve standardním pouzdře D2PAK pro SMD montáž. Celý popis
63,00 Kč
bez DPH: 52,07 Kč
Skladem 22 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
63,00 Kč
N-MOSFET tranzistor IRF3710S
Tento unipolární N-MOSFET tranzistor je navržen pro spínací a zesilovací aplikace, kde je potřeba vysoký proud a napětí. Díky technologii HEXFET® nabízí spolehlivý výkon a efektivní řízení proudu.
Technické parametry:
Tento unipolární N-MOSFET tranzistor je navržen pro spínací a zesilovací aplikace, kde je potřeba vysoký proud a napětí. Díky technologii HEXFET® nabízí spolehlivý výkon a efektivní řízení proudu.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: HEXFET®
- Polarizace: unipolární
- Napětí drain-source: 100 V
- Proud drainu: 57 A
- Ztrátový výkon: 200 W
- Kryt: D2PAK
- Montáž: SMD
- Druh kanálu: obohacený
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
