Rychlost dodání
N-MOSFET tranzistor IRF8734TRPBF 30V 21A SO8
Kód zboží:
2000278900
Značka:
Infineon
N-MOSFET tranzistor 30V, 21A, 2,5W v pouzdru SO8 pro montáž SMD s nízkým odporem RDS(on). Celý popis
52,00 Kč
bez DPH: 42,98 Kč
Skladem 10 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
52,00 Kč
Popis produktu:
N-MOSFET tranzistor určený pro elektronické obvody s napětím drain-source 30 V a maximálním proudem 21 A. Má ztrátový výkon 2,5 W a je osazen v pouzdru SO8 vhodném pro povrchovou montáž (SMD). Díky nízkému odporu RDS(on) zajišťuje efektivní přenos proudu a nízké ztráty.
Technické parametry:
N-MOSFET tranzistor určený pro elektronické obvody s napětím drain-source 30 V a maximálním proudem 21 A. Má ztrátový výkon 2,5 W a je osazen v pouzdru SO8 vhodném pro povrchovou montáž (SMD). Díky nízkému odporu RDS(on) zajišťuje efektivní přenos proudu a nízké ztráty.
Technické parametry:
- Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: HEXFET®
- Polarizace: unipolární
- Napětí drain-source: 30 V
- Proud drainu: 21 A
- Ztrátový výkon: 2,5 W
- RDS(on): 2,9 mΩ při VGS = 10 V, ID = 21 A
- RDS(on): 4,2 mΩ při VGS = 4,5 V, ID = 17 A
- Pouzdro: SO8
- Montáž: SMD
- Druh kanálu: obohacený
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
