Profesionalita a rychlost dodávky materiálu
N-MOSFET tranzistor IRFB260N s TO220AB pouzdrem
Kód zboží:
2000268500
N-MOSFET tranzistor 200V, 56A, 380W v pouzdru TO220AB pro elektronické obvody a zesilovače. Celý popis
80,00 Kč
bez DPH: 66,12 Kč
Skladem 11 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
80,00 Kč
N-MOSFET tranzistor IRFB260N / IRFB260NPBF
Tento N-MOSFET tranzistor je určen pro použití v elektronických zařízeních, kde je potřeba spínat nebo zesilovat elektrický proud. Má unipolární konstrukci a je vhodný pro aplikace s napětím až 200 V a proudem až 56 A. Díky ztrátovému výkonu 380 W zvládá vysoké zatížení a je osazen v pouzdru typu TO220AB, které umožňuje snadnou montáž a chlazení.
Technické parametry:
Tento N-MOSFET tranzistor je určen pro použití v elektronických zařízeních, kde je potřeba spínat nebo zesilovat elektrický proud. Má unipolární konstrukci a je vhodný pro aplikace s napětím až 200 V a proudem až 56 A. Díky ztrátovému výkonu 380 W zvládá vysoké zatížení a je osazen v pouzdru typu TO220AB, které umožňuje snadnou montáž a chlazení.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: HEXFET®
- Polarizace: unipolární
- Maximální napětí drain-source: 200 V
- Maximální proud drainu: 56 A
- Ztrátový výkon: 380 W
- Kryt: TO220AB
- Maximální napětí gate-source: ±20 V
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 40 mΩ
- Montáž: THT (průchozí díra)
- Náboj hradla: 150 nC
- Druh kanálu: obohacený
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
