Rychlost dodání
N-MOSFET tranzistor IRFBG30 1kV 2A TO220AB
Kód zboží:
2000268600
Značka:
Vishay
N-MOSFET tranzistor s napětím 1 kV, maximálním proudem 2 A a výkonem 125 W v pouzdru TO220AB. Celý popis
78,00 Kč
bez DPH: 64,46 Kč
Skladem 4 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
78,00 Kč
N-MOSFET tranzistor IRFBG30
Technické parametry:
Tento N-MOSFET tranzistor slouží k řízení elektrických proudů v různých elektronických zařízeních a aplikacích. Díky vysokému napětí a výkonu je vhodný pro spínání a regulaci v průmyslových i domácích elektronických obvodech. Pouzdro TO220AB umožňuje snadnou montáž a efektivní chlazení.
Výrobce: VISHAY
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET (unipolární)
- Napětí drain-source: 1 kV
- Maximální proud drainu: 2 A
- Ztrátový výkon: 125 W
- Pouzdro: TO220AB
- Napětí gate-source: ±20 V
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 5 Ω
- Montáž: THT (průchozí otvor)
- Náboj hradla: 80 nC
Tento N-MOSFET tranzistor slouží k řízení elektrických proudů v různých elektronických zařízeních a aplikacích. Díky vysokému napětí a výkonu je vhodný pro spínání a regulaci v průmyslových i domácích elektronických obvodech. Pouzdro TO220AB umožňuje snadnou montáž a efektivní chlazení.
Výrobce: VISHAY
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
