Profesionalita a rychlost dodávky materiálu
N-MOSFET tranzistor IRL2505PBF 55V 104A TO220AB
Kód zboží:
2000113800
Značka:
Infineon
N-MOSFET tranzistor s napětím 55V, proudem 104A a výkonem 200W v pouzdru TO220AB pro elektronické aplikace. Celý popis
58,00 Kč
bez DPH: 47,93 Kč
Skladem 5 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
58,00 Kč
Popis produktu:
N-MOSFET tranzistor IRL2505PBF je unipolární polovodičová součástka určená pro spínací a zesilovací aplikace. Disponuje maximálním napětím drain-source 55 V, maximálním proudem drainu 104 A a ztrátovým výkonem 200 W. Tranzistor je vyroben technologií HEXFET® a má obohacený kanál, což zajišťuje efektivní řízení elektrického proudu.
Technické parametry:
N-MOSFET tranzistor IRL2505PBF je unipolární polovodičová součástka určená pro spínací a zesilovací aplikace. Disponuje maximálním napětím drain-source 55 V, maximálním proudem drainu 104 A a ztrátovým výkonem 200 W. Tranzistor je vyroben technologií HEXFET® a má obohacený kanál, což zajišťuje efektivní řízení elektrického proudu.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: HEXFET®
- Polarizace: unipolární
- Maximální napětí drain-source: 55 V
- Maximální proud drainu: 104 A
- Ztrátový výkon: 200 W
- Pouzdro: TO220AB
- Montáž: THT (Through-Hole Technology)
- Druh kanálu: obohacený
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
