Kvalitu a rychlost dodání
N-MOSFET tranzistor IRLR3110ZPBF 100V 63A
Kód zboží:
2000161800
Novinka
N-MOSFET tranzistor s napětím 100V, proudem 63A a výkonem 140W vhodný pro montáž SMD v pouzdru DPAK. Celý popis
67,00 Kč
bez DPH: 55,37 Kč
Není skladem
Možnosti doručení
Momentálně nedostupné na prodejnách
67,00 Kč
Technické parametry:
Popis produktu:
IRLR3110ZPBF je výkonový N-MOSFET tranzistor určený pro spínací a zesilovací aplikace. Díky technologii HEXFET® nabízí efektivní řízení proudu a nízký odpor v sepnutém stavu. Tranzistor má maximální napětí mezi drainem a source 100 V a je schopen spolehlivě vést proud až 63 A při ztrátovém výkonu 140 W. Je dodáván v pouzdru DPAK vhodném pro povrchovou montáž (SMD), což umožňuje snadnou integraci do elektronických obvodů.
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: HEXFET®
- Polarizace: unipolární
- Maximální napětí drain-source: 100 V
- Maximální proud drainu: 63 A
- Maximální ztrátový výkon: 140 W
- Kryt: DPAK
- Montáž: SMD
Popis produktu:
IRLR3110ZPBF je výkonový N-MOSFET tranzistor určený pro spínací a zesilovací aplikace. Díky technologii HEXFET® nabízí efektivní řízení proudu a nízký odpor v sepnutém stavu. Tranzistor má maximální napětí mezi drainem a source 100 V a je schopen spolehlivě vést proud až 63 A při ztrátovém výkonu 140 W. Je dodáván v pouzdru DPAK vhodném pro povrchovou montáž (SMD), což umožňuje snadnou integraci do elektronických obvodů.
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
