Kvalitu a rychlost dodání
N-MOSFET tranzistor STP10NK60Z 600V 10A 115W
Kód zboží:
2000285200
Značka:
STMicroelectronics
N-MOSFET tranzistor s napětím 600V, proudem 10A a výkonem 115W pro elektronické aplikace. Celý popis
53,00 Kč
bez DPH: 43,80 Kč
Skladem 16 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
53,00 Kč
Popis produktu:
N-MOSFET tranzistor STP10NK60Z je určený pro spínací a zesilovací aplikace v elektronice. Nabízí vysoké napětí drain-source 600V, maximální proud 10A a ztrátový výkon až 115W. Díky technologii SuperMesh™ má nízký odpor v sepnutém stavu 750mΩ, což zlepšuje efektivitu a snižuje ztráty energie.
Technické parametry:
N-MOSFET tranzistor STP10NK60Z je určený pro spínací a zesilovací aplikace v elektronice. Nabízí vysoké napětí drain-source 600V, maximální proud 10A a ztrátový výkon až 115W. Díky technologii SuperMesh™ má nízký odpor v sepnutém stavu 750mΩ, což zlepšuje efektivitu a snižuje ztráty energie.
Technické parametry:
- Výrobce: STMicroelectronics
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: SuperMesh™
- Polarizace: unipolární
- Napětí drain-source: 600 V
- Maximální proud drainu: 10 A
- Ztrátový výkon: 115 W
- Pouzdro: TO220-3
- Napětí gate-source: ±30 V
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 750 mΩ
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
