Rychlost dodání
N-MOSFET tranzistor STP60NF10 100V 66A 300W
Kód zboží:
2000115700
Značka:
SMT Electronic
N-MOSFET tranzistor STP60NF10 s technologií STripFET™ II, 100V, 66A a 300W pro spolehlivou elektronickou aplikaci. Celý popis
41,00 Kč
bez DPH: 33,88 Kč
Skladem 22 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
41,00 Kč
N-MOSFET tranzistor STP60NF10
Tento N-MOSFET tranzistor využívá technologii STripFET™ II a je určen pro elektronické obvody vyžadující spolehlivý výkon. Jedná se o unipolární tranzistor s maximálním napětím drain-source 100 V, maximálním proudem drainu 66 A a maximálním ztrátovým výkonem 300 W. Tranzistor je osazen v pouzdře TO220-3, které umožňuje snadnou montáž pomocí techniky THT.
Technické parametry:
Tento N-MOSFET tranzistor využívá technologii STripFET™ II a je určen pro elektronické obvody vyžadující spolehlivý výkon. Jedná se o unipolární tranzistor s maximálním napětím drain-source 100 V, maximálním proudem drainu 66 A a maximálním ztrátovým výkonem 300 W. Tranzistor je osazen v pouzdře TO220-3, které umožňuje snadnou montáž pomocí techniky THT.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Technologie: STripFET™ II
- Polarizace: unipolární
- Maximální napětí drain-source: 100 V
- Maximální proud drainu: 66 A
- Maximální ztrátový výkon: 300 W
- Pouzdro: TO220-3
- Napětí gate-source: ±20 V
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 23 mΩ
- Způsob montáže: THT
- Druh kanálu: obohacený
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
