Rychlost dodání
N-MOSFET tranzistor TK6A65D 650V 6A
Kód zboží:
3000226700
Značka:
Toshiba
N-MOSFET tranzistor s napětím 650V, proudem 6A a impulzním proudem 24A pro elektronické aplikace. Celý popis
29,00 Kč
bez DPH: 23,97 Kč
Skladem 17 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
29,00 Kč
Popis produktu:
N-MOSFET tranzistor TK6A65D je unipolární polovodičová součástka určená pro spínací a zesilovací aplikace s vysokým napětím a proudem.
Technické parametry:
N-MOSFET tranzistor TK6A65D je unipolární polovodičová součástka určená pro spínací a zesilovací aplikace s vysokým napětím a proudem.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: N-MOSFET
- Polarizace: unipolární
- Maximální napětí drain-source: 650 V
- Maximální proud drainu: 6 A
- Impulsní proud kolektoru (Idm): 24 A
- Ztrátový výkon: 45 W
- Kryt: TO220FP
- Maximální napětí gate-source: ±30 V
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 0,95 Ω
- Montáž: THT (Through-Hole Technology)
- Náboj hradla: 20 nC
- Druh kanálu: obohacený (enhancement)
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
