rychlost
P-MOSFET tranzistor IRF9530 v pouzdru TO220AB
Kód zboží:
2000320100
Značka:
Infineon
P-MOSFET tranzistor s napětím -100V, proudem -14A a výkonem 79W v pouzdru TO220AB pro různé elektronické aplikace. Celý popis
35,00 Kč
bez DPH: 28,93 Kč
Skladem > 25 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
35,00 Kč
P-MOSFET tranzistor IRF9530
Tento unipolární P-MOSFET tranzistor je určený pro spínací a zesilovací aplikace s maximálním napětím drain-source -100V a maximálním proudem drainu -14A. Má výkon 79W a je osazen v pouzdru TO220AB, které umožňuje snadnou montáž do desky s otvory (THT).
Technické parametry:
Tento unipolární P-MOSFET tranzistor je určený pro spínací a zesilovací aplikace s maximálním napětím drain-source -100V a maximálním proudem drainu -14A. Má výkon 79W a je osazen v pouzdru TO220AB, které umožňuje snadnou montáž do desky s otvory (THT).
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: P-MOSFET (HEXFET)
- Polarizace: unipolární
- Napětí drain-source: -100V
- Maximální proud drainu: -14A
- Maximální výkon: 79W
- Pouzdro: TO220AB
- Napětí gate-source: 20V
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 200 mΩ
- Tepelný odpor přechod-pouzdro: 1,9 K/W
- Montáž: THT (Through-Hole Technology)
- Náboj hradla: 38,7 nC
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
