Rychlost dodání
P-MOSFET tranzistor IRFP9140NPBF s napětím -100V a proudem -21A
Kód zboží:
2000005700
Značka:
Infineon
P-MOSFET tranzistor IRFP9140NPBF s unipolární konstrukcí, -100V, -21A, 120W, pouzdro TO247AC pro elektronické aplikace. Celý popis
54,00 Kč
bez DPH: 44,63 Kč
Skladem 7 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
54,00 Kč
P-MOSFET tranzistor IRFP9140NPBF
Tento tranzistor typu P-MOSFET je unipolární součástka určená pro spínací a řízené aplikace v elektronice. Disponuje maximálním napětím drain-source -100 V a maximálním proudem drainu -21 A, což umožňuje jeho použití ve výkonných obvodech. Tranzistor má ztrátový výkon 120 W, což znamená, že dokáže spolehlivě odvádět teplo při provozu.
Technické parametry:
Tento tranzistor typu P-MOSFET je unipolární součástka určená pro spínací a řízené aplikace v elektronice. Disponuje maximálním napětím drain-source -100 V a maximálním proudem drainu -21 A, což umožňuje jeho použití ve výkonných obvodech. Tranzistor má ztrátový výkon 120 W, což znamená, že dokáže spolehlivě odvádět teplo při provozu.
Technické parametry:
- Typ tranzistoru: P-MOSFET
- Technologie: HEXFET®
- Polarizace: unipolární
- Maximální napětí drain-source: -100 V
- Maximální proud drainu: -21 A
- Ztrátový výkon: 120 W
- Pouzdro: TO247AC
- Maximální napětí gate-source: ±20 V
- Odpor v sepnutém stavu (Rds(on)): 0,117 Ω
- Montáž: THT (through-hole technology)
- Náboj hradla: 64,7 nC
- Druh kanálu: obohacený
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
