Trpělivost kurýra
Výkonový N-kanálový MOSFET STW10NK80Z v pouzdře TO-247
Kód zboží:
2000007200
N-kanálový výkonový MOSFET 800 V, 9 A, 0,9 Ω v pouzdře TO-247 pro spínané zdroje a výkonové aplikace. Celý popis
129,00 Kč
bez DPH: 106,61 Kč
Skladem 2 ks
Možnosti doručení
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
129,00 Kč
Výkonový N-kanálový MOSFET STW10NK80Z v pouzdře TO-247
STW10NK80Z je vysokonapěťový výkonový tranzistor typu N-MOSFET vyrobený technologií SuperMESH™. Je určen pro použití ve spínaných zdrojích, výkonových měničích, napájecích modulech, svařovací technice a LED zdrojích, kde je potřeba spínání při vysokém napětí.
Maximální napětí mezi drainem a sourcem je 800 V, trvalý proud drainu dosahuje až 9 A a odpor otevřeného kanálu (RDS(on)) je maximálně 0,9 Ω při napětí hradla 10 V. Pouzdro TO-247 umožňuje snadnou instalaci na desku plošných spojů i montáž na chladič. Integrovaná Zenerova dioda chrání hradlo před přepětím, což zvyšuje spolehlivost zařízení.
Technické parametry:
Při výměně tohoto MOSFETu doporučujeme zkontrolovat zapojení vývodů, parametry původního tranzistoru, způsob chlazení a požadavky na spínací vlastnosti obvodu.
STW10NK80Z je vysokonapěťový výkonový tranzistor typu N-MOSFET vyrobený technologií SuperMESH™. Je určen pro použití ve spínaných zdrojích, výkonových měničích, napájecích modulech, svařovací technice a LED zdrojích, kde je potřeba spínání při vysokém napětí.
Maximální napětí mezi drainem a sourcem je 800 V, trvalý proud drainu dosahuje až 9 A a odpor otevřeného kanálu (RDS(on)) je maximálně 0,9 Ω při napětí hradla 10 V. Pouzdro TO-247 umožňuje snadnou instalaci na desku plošných spojů i montáž na chladič. Integrovaná Zenerova dioda chrání hradlo před přepětím, což zvyšuje spolehlivost zařízení.
Technické parametry:
- Označení výrobce: STW10NK80Z
- Výrobce: STMicroelectronics
- Typ: výkonový unipolární tranzistor MOSFET
- Kanál: N-kanál
- Technologie: SuperMESH™
- Maximální napětí drain–source: 800 V
- Trvalý proud drainu: 9 A
- Odpor sepnutého kanálu RDS(on): max. 0,9 Ω, typicky 0,78 Ω
- Maximální ztrátový výkon: 160 W
- Maximální napětí gate–source: ±30 V
- Pouzdro: TO-247, 3 vývody
- Montáž: THT / průchozí montáž
- Provedení: Zenerem chráněný MOSFET
- Využití: spínané napájecí zdroje, výkonové spínání a vysokonapěťové měniče
Při výměně tohoto MOSFETu doporučujeme zkontrolovat zapojení vývodů, parametry původního tranzistoru, způsob chlazení a požadavky na spínací vlastnosti obvodu.
Žádná recenze dosud nebyla napsána. Buďte první...
