Výkonový N-MOSFET tranzistor IPA60R180P7SXKSA1 / 60S180P7Výkonový tranzistor typu N-kanál MOSFET z řady CoolMOS™ P7 je určen pro spínané napájecí zdroje, měniče, nabíječky, LED zdroje a průmyslovou elektroniku. Má maximální napětí mezi drain a source 600 V, maximální proud 18 A a nízký odpor sepnutého kanálu 180 mΩ, což přispívá k vyšší účinnosti a nižším ztrátám při spínání.
Tranzistor je vyroben v izolovaném pouzdře PG-TO-220 FullPAK se třemi vývody a je vhodný pro průchozí montáž (THT). Izolované pouzdro umožňuje bezpečné připevnění na chladič bez elektrického spojení.
Technické parametry:- Výrobce: Infineon Technologies
- Objednací číslo: IPAN60R180P7SXKSA1
- Řada: CoolMOS™ P7
- Typ součástky: výkonový MOSFET tranzistor
- Kanál: N-kanál
- Režim: enhancement mode
- Maximální napětí drain–source (VDS): 600 V
- Maximální trvalý proud drain (ID): 18 A
- Odpor kanálu v sepnutém stavu (RDS(on)): 180 mΩ
- Pouzdro: PG-TO-220 FullPAK, 3 vývody
- Montáž: THT / průchozí montáž
- Použití: spínané zdroje, PFC obvody, výkonové měniče, LED napájení, průmyslové zdroje a výkonová elektronika
Kompatibilita:Tranzistor se používá ve zdrojích televizorů Samsung.
Při výběru náhradního dílu vždy zkontrolujte označení součástky, zapojení vývodů, parametry řídicího obvodu, chlazení a elektrické hodnoty původního MOSFETu.